Titàn Pati pou Semiconductor

1. Ultra-kontwòl lage enpurte ki ba

Nou adopte yon konplo pwosesis nan zouti seramik + fè -zouti gratis pandan tout pwosesis pwodiksyon an. Tout materyèl oksilyè ki an kontak ak materyo a sibi twa jij nan pirifikasyon lave asid, estrikteman kontwole kontni an total nan fè, chromium, elatriye yo dwe nan 0.02%. Sa a konplètman evite pwoblèm nan kontaminasyon ion metal komen nan pwosesis semi-conducteurs ak anpeche fòmasyon nan rezidi metal twòp sou sifas la wafer. Li diminye risk pou sikwi kout sou bò materyèl la.

 

2. Rezistans korozyon alontèm -

Apre yo fin fòme pati a, li pral sibi de konsantrasyon diferan nan imèsyon solisyon fèb oksidasyon pou pasivasyon. Yon fim pwoteksyon inifòm 8-10nm epè Titàn diyoksid pral pwodwi sou sifas la. Menm lè yo ekspoze a asid fluoridrik dilye ak solisyon melanje asid nitrique nan pwosesis netwayaj semi-conducteurs pou 2000 èdtan kontinyèlman, pa pral gen okenn detachman pitting ak pa gen debri grate sifas la wafer.

 

3. Segondè -estabilite dimansyon presizyon

Pandan pwosesis la, tout pwosesis la sèvi ak espre nitwojèn likid pou kontwòl tanperati konstan, kontwole deformation ki te pwodwi pandan pwosesis la nan 0.003mm. Anvan ou kite faktori a, pwodwi fini yo sibi tès monte bisiklèt tanperati 24 èdtan ak ba. Menm lè opere nan yon anviwònman pwosesis semi-conducteurs nan 180 degre pou yon tan long, pa pral gen okenn blokaj deformation ak pa gen okenn deformation rete soude. Pa gen okenn bezwen souvan demonte ak ajiste presizyon aliyman an.

 

4. Ba echapman pousantaj apwopriye pou anviwònman vakyòm

Tout pati yo premye sibi boulanjri vakyòm 120 degre pou 48 èdtan pou tretman degaz. Vapè dlo a ak ti patikil ki adsorbe sou sifas la konplètman retire. Apre yo fin enstale nan chanm vakyòm semi-conducteurs la, li ka ede ekipman an rive nan degre vakyòm sib la 25% pi vit pase lè l sèvi avèk pati òdinè asye pur, diminye pèt tan nan ap tann pou ponpe vakyòm.

1. Plato wafer pou machin depozisyon vapè PVD

Itilize pou sipòte wafer Silisyòm yo dwe kouvwi. Nan anviwònman an wo -tanperati nan sib materyèl sputtering, pati nan Titàn pa pral reyaji ak gaz la sputtering epi yo pa pral lage enpurte depase nan chanm lan, sa ki ka amelyore inifòmite nan kouch nan fim metal depoze sou sifas la wafer pa 5%, evite pwoblèm nan nan flit chip ki te koze pa epesè kouch metal ensifizan. Li apwopriye pou kondisyon pwodiksyon kouch nan 28nm ak pi ba a pwosesis.

 

2. Wafer konpayi asirans etajè pou machin netwayaj mouye

Nan pwosesis netwayaj estanda RCA, etajè a konplètman benyen nan asid fò ak solisyon netwayaj fò alkali. Materyèl Titàn la pa pral korode epi pwodui debri, epi yo pa pral konfòme yo ak sifas la wafer pou lakòz kontaminasyon patikil. Li ka diminye pousantaj defo patikil nan netwayaj wafer sèl pakèt pa 12%. An menm tan an, karakteristik ki lejè nan etajè a kapab tou redwi chaj la transmisyon nan machin nan netwaye ak pi ba konsomasyon enèji ekipman yo.

 

3. Electrode fixation chèz pou machin implantation ion

Yo itilize pou ranje elektwòd vòltaj segondè -nan machin nan. Pwopriyete ki pa -mayetik nan Titàn pa pral entèfere ak trajectoire nan gwo bout bwa a ion, sa ki pèmèt devyasyon an pwofondè nan enplantasyon ion yo dwe kontwole nan yon seri piti anpil, evite pwoblèm nan nan dòz inegal piki nan zòn lokal la nan wafer la. Li siyifikativman amelyore konsistans pèfòmans elektrik chip la.

 

4. Connector bride pou tiyo vakyòm semi-conducteurs

Konekte diferan seksyon nan tiyo vakyòm nan machin nan. Pousantaj echapman ki ba nan Titàn ka kenbe yon gwo -anviwònman vakyòm pwòp andedan tiyo a epi yo pa pral lakòz fluctuations nan degre vakyòm akòz lage gaz la nan bride òdinè asye pur apre itilizasyon alontèm-. Li diminye kantite alam fèmen machin ki deklanche pa anomali vakyòm ak ogmante tan operasyon kontinyèl liy pwodiksyon an pa 30%.

1. Pèsonalizasyon dimansyon ki pa-estanda

Repoze sou pwòp sant D' 5-aks nou an, longè, lajè ak wotè pati yo ka ajiste selon espas enstalasyon ekipman semi-conducteurs ki deja egziste kliyan an. Pa gen okenn nesesite pou kliyan an modifye koòdone ekipman an, epi premye echantiyon an ka delivre nan 7 jou.

 

2. Personnalisation de kondisyon sifas

De metòd tretman sifas yo ka chwazi selon demann: polisaj glas ak ma sablaj. Yo apwopriye pou diferan kondisyon pwòpte nan pwosesis fabrikasyon an epi yo ka evite adezyon patikil ki afekte anviwònman an pwodiksyon semi-conducteurs.

 

3. Personnalisation de interfaces espesyal

Estrikti espesyal tankou fant kat espesyal ak twou pwezante ka Customized pou konplètman matche ak egzijans asanble ekipman pwòp tèt ou -devlope kliyan an. Pa gen okenn eleman adaptè adisyonèl bezwen ajoute.

Atik	Spesifikasyon
Non pwodwi	Titàn Pati pou Semiconductor
Materyèl	Pi Titàn (Klas 2), Titàn Alloy (Klas 5 Ti-6Al-4V)
Pwosesis Faktori	CNC D ', vire, fraisage, fanm k'ap pile, soude
Fòm ki disponib	Plak, bag, tib, baton, blòk, Custom Pati
Dimansyon	Customized dapre desen oswa echantiyon
Tolerans	Jiska ± 0.01 mm
Sifas fini	Poli, Sandblasted, marinated, anodize, ak presizyon machin
Rugosité andigman	Ra 0.2-1.6 μm (Custom Disponib)
Pite	Jiska 99.6% (Grade 2 Titanium)
Tanperati Fonksyònman	Jiska 400 degre
Dansite	4.51 g / cm³
Dite	Klas 2: HB 145–200; Klas 5: HRC 30–36
Rezistans korozyon	Ekselan rezistans nan asid, alkali, ak pwodui chimik pwosesis
Konpatibilite chimik	Apwopriye pou pwodwi chimik semi-conducteurs ak anviwònman ultra-pite segondè
Enspeksyon	Enspeksyon dimansyon, Sètifikasyon Materyèl, Enspeksyon Sifas

 

 

 

Baj popilè: Titàn pati pou semiconductor, Lachin Titàn pati pou semiconductor manifaktirè yo, ke founisè, faktori